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日本启动节能型半导体项目诺奖得主天野领军
时间:2021-07-31 17:49 点击次数:
本文摘要:日本文部科学省(全称文科省)将于2016年度内启动取名为有助构建节约能源社会的新一代半导体研究研发的GaN功率元件研发项目。涉及负责人讲解说道,这是文科省的第一个电子元器件项目。该项目的核心力量是2014年诺贝尔物理学奖获得者名古屋大学的天野浩教授领导的研发小组。项目为期5年,第一年(2016年度)的支出为10亿日元。 天野教授2014年因发明者蓝色LED而取得诺贝尔物理学奖,据介绍,这也是成立该项目的一个契机。

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日本文部科学省(全称文科省)将于2016年度内启动取名为有助构建节约能源社会的新一代半导体研究研发的GaN功率元件研发项目。涉及负责人讲解说道,这是文科省的第一个电子元器件项目。该项目的核心力量是2014年诺贝尔物理学奖获得者名古屋大学的天野浩教授领导的研发小组。项目为期5年,第一年(2016年度)的支出为10亿日元。

  天野教授2014年因发明者蓝色LED而取得诺贝尔物理学奖,据介绍,这也是成立该项目的一个契机。在日本内阁府和经济产业省都有新一代功率半导体研发项目的情况下,此项目的特点是射击(功率元件的)用途,回来头去做到GaN的基础研究,解明其原理(文科省负责人)。  分晶体、器件、评价3个研究领域  该项目设置了三大研究领域,第一是研发合适功率元件的高品质GaN晶体。

这是该项目的核心。将以名古屋大学为中心,还有大阪大学及丰田中央研究所(丰田中研)等参与,项目负责人是天野教授。

  在这个核心点上,为了制作缺失较少的高品质GaN晶体,将考虑到奠定在晶体生长过程中动态观测情况,以解明缺失机制和加以控制的技术。并且,还将通过新的晶体生长仿真来解明晶体生长过程及掌控方法。目标是构建第一性原理计算出来、热力学分析、数值流体力学3者无缝连接展开分析的多物理场晶体生长仿真。  第二是制作功率元件的功率器件与系统领域。

这部分由曾在丰田中央研究所展开GaN类半导体元件研究、目前就任于名古屋大学的加地冈兼任负责人。有日本北海道大学、日本法政大学及丰田中研等参与。  第三是评价前两个领域做成的晶体和功率元件的评价基础领域。由日本物质材料研究机构的小出有康夫兼任负责人。

有东北大学、丰田制备及富士电机等参与。  2030年构建电源频率1MHz以上、输出功率100kVA以上  此次的项目射击2030年实用化,明确提出了5年后要达成协议的研究目标。2030年的实用化目标大体有两方面。

第一,构建电源频率1MHz以上、且以100kVA以上的输出功率工作的功率元件。想主要通过在GaN基板上层叠GaN类半导体的立式元件来构建。

  第二,构建在功率元件上构建控制电路等外围电路的智能功率器件。设想主要通过横式元件构建。  为了已完成2030年的这些目标,5年后要达成协议的目标如下。

  在晶体领域,不仅是要制作高品质的晶体,而是要制作合适功率元件的晶体。要具体晶体缺陷的再次发生机制,研发晶体生长仿真方法等。  在功率元件领域,将射击量产,研发能平稳制作该元件的技术。在评价领域,要制订肖特基结、PN结及MIS结等基础元件结构的电气评价标准,也就是以制作TEG(TestElementGroup)为目标(文科省负责人)。


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